جدیدترین و به روزترین فایل های پاورپوینت و پی دی اف و سایر فرمت های تحقیقی و آموزشی و درسی را این وبلاگ به راحتی دانلود نمایید !ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته
ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته
دسته: مهندسی برق فرمت فایل: doc
حجم فایل: 1258 کیلوبایت
تعداد صفحات فایل: 13
ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته در 13 صفحه فارسی ورد قابل ویرایش با فرمت doc به همراه اصل مقاله انگلیسی
عنوان فارسی :
درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته
عنوان انگلیسی :
A New Gate Driver Integrated Circuit for IGBT Devices With Advanced Protections
تعداد صفحات فارسی : 13 صفحه ورد قابل ویرایش
سطح ترجمه : متوسط
شناسه کالا : bree
دانلود رایگان مقاله انگلیسی : http://ofmas.ir/dlpaper/bree.pdf
دانلود ترجمه فارسی مقاله : بلافاصله پس از پرداخت آنلاین 7 هزار و 500 تومان قادر به دانلود خواهید بود .
بخشی از ترجمه :
چکیده
هدف
از این مقاله بحث در مورد راه حل های جدید در طراحی گیت عایق ترانزیستور
دوقطبی (IGBT) و درایور گیت با محافظت پیشرفته مانند دو سطح می باشد و
به نوبه خود کاهش جریان پیک را هنگام روشن کردن دستگاه به همراه دارد ، دو
سطح به نوبه خود خاموش شده و برای محدود کردن بیش از حد ولتاژ هنگامی که
دستگاه خاموش است، و میلر تابع گیره فعال در برابر پدیده های انتقال متقابل
عمل می کنند . پس از آن، ما یک مدار جدید که شامل یک سطح با دو درایور
خاموش و یک تابع گیره میلر می باشد خواهیم داشت . آزمایش و نتایج برای این
عملکرد های پیشرفته مورد بحث، با تاکید خاص بر نفوذ در سطح متوسط در دو
سطح خاموش درایور در حد خارج شدن در سراسر IGBT می باشد .
Abstract
The aim of this paper is to discuss new solutions in the design of insulated gate bipolar transistor (IGBT) gate drivers with advanced protections such as two-level turn-on to reduce peak current when turning on the device, two-level turn-off to limit over-voltage when the device is turned off, and an active Miller clamp function that acts against cross conduction phenomena. Afterwards, we describe a new circuit which includes a two-level turn-off driver and an active Miller clamp function. Tests and results for these advanced functions are discussed, with particular emphasis on the influence of an intermediate level in a two-level turn-off driver on overshoot across the IGBT.
بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود به شما نمایش داده می شود و همچنین یک نسخه نیز برای شما ایمیل می شود .
کلمات کلیدی : ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته , ترجمه مقاله درایور جدید گیت ساخت مدارهابرای دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته , درایور جدید گیت ساخت مدارها , دستگاه های IGBT با حفاظت و جوی پیشرفته
[ جمعه, ۲۲ ارديبهشت ۱۳۹۶، ۱۱:۲۶ ق.ظ ] [ tey moor ]
[ ۰ ]